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倍加福P+F光电传感器ML100-8-H-350-RT/95/103参考图

产品描述

品牌 其他
型号 M100/MV100-RT/76a/103/115
材料 -
防护等级 -
分辨率 -
漂移 -
数量 1

  倍加福P+F光电传感器ML100-8-H-350-RT/95/103参考图

  说明:

  光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应(又称为光电效能变化的一类光致电改变现象的总称。当光照射到半导体材料时,材吸收了入射光子能量,若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度,就激发出电子空穴对,使载流子浓度增加,半导体的导电性增加,料吸收光子的能量,使非传导态电子变为传导态电子,引起载流子浓度增大,因而导致材料电导率增大。在光线作用下,对于半导体材料阻值减低,这种现象称为光电导效应。光敏电阻就是基于这种效应的应、光敏效应), 即光电导效应是光照射到某些物体上后,引起其电性光电器件。

  倍加福P+F光电传感器ML100-8-H-350-RT/95/103参考图

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